商品型号： IPB50R140CP
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-TO263-3
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY313736
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A(Tc) 漏源电压（Vdss）：550V 栅源极阈值电压：3.5V @ 930uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：192W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 550V | |
| 类型 | N沟道 |
IPB50R140CP由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPB50R140CP价格参考￥2.072800。Infineon(英飞凌)IPB50R140CP封装/规格：PG-TO263-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A(Tc) 漏源电压（Vdss）：550V 栅源极阈值电压：3.5V @ 930uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：192W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IPB50R140CP
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