商品型号: CS120N08A8
制造厂商: 华润华晶
封装规格: TO-220(TO-220-3)
商品毛重: 2.88g
商品编号: CY520287
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):85V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):208W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,85V,120A,7.5mΩ@10V
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价格
1+
¥5.5156
10+
¥5.4308
30+
¥5.346
100+
¥5.2612
500+
¥5.1764
1000+
¥5.0882
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
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¥25.00
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封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 85V | |
类型 | N沟道 |
CS120N08A8由华润华晶设计生产,在芯云购商城现货销售,CS120N08A8价格参考¥5.515600。华润华晶CS120N08A8封装/规格:TO-220(TO-220-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):85V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):208W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,85V,120A,7.5mΩ@10V
手机版:CS120N08A8
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