商品型号： NTD5802NT4G
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.44g
商品编号： CY837202
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16.4A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道,40V,16.4A,4.4mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | N沟道 |
NTD5802NT4G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTD5802NT4G价格参考￥3.327100。ON(安森美)NTD5802NT4G封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16.4A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道,40V,16.4A,4.4mΩ@10V
手机版：NTD5802NT4G
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