商品型号： IRF7853PBF
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： SOP-8_150mil
商品毛重： 0.20g
商品编号： CY831729
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.3A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4.9V @ 100uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 8.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道,100V,8.3A,18mΩ@10V
数量
价格
1+
￥3.2985
10+
￥3.2492
30+
￥3.1999
100+
￥3.1506
500+
￥3.1013
1000+
￥3.052
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
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封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | N沟道 |
IRF7853PBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF7853PBF价格参考￥3.298500。Infineon(英飞凌)IRF7853PBF封装/规格：SOP-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.3A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4.9V @ 100uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 8.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道,100V,8.3A,18mΩ@10V
手机版：IRF7853PBF
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