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PSMN1R4-30YLDX

商品型号： PSMN1R4-30YLDX

制造厂商： Nexperia(安世)

封装规格： SOT669

商品毛重： 0.13g

商品编号： CY262108

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 1mA 漏源导通电阻：1.42mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：166W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 1mA 漏源导通电阻：1.42mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：166W(Tc) 类型：N沟道

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PSMN1R4-30YLDX由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PSMN1R4-30YLDX价格参考￥1.021200。Nexperia(安世)PSMN1R4-30YLDX封装/规格：SOT669,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 1mA 漏源导通电阻：1.42mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：166W(Tc) 类型：N沟道

手机版：PSMN1R4-30YLDX