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BUK9Y65-100E,115

商品型号： BUK9Y65-100E,115

制造厂商： Nexperia(安世)

封装规格： SOT-669

商品毛重： 0.11g

商品编号： CY306295

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：19A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.1V @ 1mA 漏源导通电阻：63.3mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：64W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
栅源极阈值电压	2.1V @ 1mA
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：19A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.1V @ 1mA 漏源导通电阻：63.3mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：64W(Tc) 类型：N沟道

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BUK9Y65-100E,115由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,BUK9Y65-100E,115价格参考￥5.039600。Nexperia(安世)BUK9Y65-100E,115封装/规格：SOT-669,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：19A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.1V @ 1mA 漏源导通电阻：63.3mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：64W(Tc) 类型：N沟道

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