商品型号： US6J11TR
制造厂商： ROHM(罗姆)
封装规格： SOT-363T
商品毛重： 0.02g
商品编号： CY868473
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.3A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1V @ 1mA 漏源导通电阻：1.06Ω @ 200mA,1.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：双P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | -12V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W |
US6J11TR由ROHM(罗姆)设计生产,在芯云购商城现货销售,US6J11TR价格参考￥9.123400。ROHM(罗姆)US6J11TR封装/规格：SOT-363T,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.3A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1V @ 1mA 漏源导通电阻：1.06Ω @ 200mA,1.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：双P沟道
手机版：US6J11TR
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