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IPD60R360P7ATMA1

商品型号: IPD60R360P7ATMA1

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: PG-TO-252-3

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY705240

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 140uA 漏源导通电阻:360mΩ @ 2.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):41W(Tc) 类型:N沟道 N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥4.21

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 650V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 140uA 漏源导通电阻:360mΩ @ 2.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):41W(Tc) 类型:N沟道 N沟道

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IPD60R360P7ATMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD60R360P7ATMA1价格参考¥4.213400。Infineon(英飞凌)IPD60R360P7ATMA1封装/规格:PG-TO-252-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 140uA 漏源导通电阻:360mΩ @ 2.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):41W(Tc) 类型:N沟道 N沟道

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