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NVR1P02T1G

商品型号: NVR1P02T1G

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: SOT-23(SOT-23-3)

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY888900

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:P沟道 P 沟道,-20V,-1A,-148mΩ@-1V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 1A
最大功率耗散(Ta=25°C) 400mW
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:P沟道 P 沟道,-20V,-1A,-148mΩ@-1V

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NVR1P02T1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NVR1P02T1G价格参考¥2.134400。ON(安森美)NVR1P02T1G封装/规格:SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:P沟道 P 沟道,-20V,-1A,-148mΩ@-1V

手机版:NVR1P02T1G