商品型号： NVR1P02T1G
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY888900
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：P沟道 P 沟道,-20V,-1A,-148mΩ@-1V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 400mW | |
| 类型 | P沟道 |
NVR1P02T1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NVR1P02T1G价格参考￥2.134400。ON(安森美)NVR1P02T1G封装/规格：SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：P沟道 P 沟道,-20V,-1A,-148mΩ@-1V
手机版：NVR1P02T1G
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