商品型号： FHD70N03A
制造厂商： FeiHong(飞虹)
封装规格： TO-252
商品毛重： 0.30g
商品编号： CY276403
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：68A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31.2W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥1.2259
10+
￥1.1905
30+
￥1.1524
100+
￥1.1143
500+
￥1.0762
1000+
￥1.0381
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
FHD70N03A由FeiHong(飞虹)设计生产,在芯云购商城现货销售,FHD70N03A价格参考￥1.225900。FeiHong(飞虹)FHD70N03A封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：68A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31.2W(Tc) 类型：N沟道
手机版：FHD70N03A
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