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DMT3020LSD-13

商品型号： DMT3020LSD-13

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SO-8

商品毛重： 0.22g

商品编号： CY491441

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：双N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
最大功率耗散（Ta=25°C）	1W
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：双N沟道

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DMT3020LSD-13由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMT3020LSD-13价格参考￥4.062800。DIODES(美台)DMT3020LSD-13封装/规格：SO-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：双N沟道

手机版：DMT3020LSD-13