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BSL308PE H6327

商品型号： BSL308PE H6327

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TSOP6-6

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY448205

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：1V @ 11uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 2A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：双P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	2A
最大功率耗散（Ta=25°C）	500mW

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：1V @ 11uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 2A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：双P沟道

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BSL308PE H6327由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSL308PE H6327价格参考￥5.354000。Infineon(英飞凌)BSL308PE H6327封装/规格：PG-TSOP6-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：1V @ 11uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 2A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：双P沟道

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