商品型号: TN2404K-T1-GE3
制造厂商: VISHAY(威世)
封装规格: SOT-23(TO-236)
商品毛重: 0.02g
商品编号: CY584567
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 漏源电压(Vdss):240V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:4Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:N沟道
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品牌: ST(意法半导体)
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¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
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商品目录 | MOS(场效应管) | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 200mA | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 360mW | |
类型 | N沟道 |
TN2404K-T1-GE3由VISHAY(威世)设计生产,在芯云购商城现货销售,TN2404K-T1-GE3价格参考¥4.097200。VISHAY(威世)TN2404K-T1-GE3封装/规格:SOT-23(TO-236),连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 漏源电压(Vdss):240V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:4Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:N沟道
手机版:TN2404K-T1-GE3
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