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TN2404K-T1-GE3

商品型号: TN2404K-T1-GE3

制造厂商: VISHAY(威世)

封装规格: SOT-23(TO-236)

商品毛重: 0.02g

商品编号: CY584567

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 漏源电压(Vdss):240V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:4Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥4.0972

总   价: ¥4.10

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商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 200mA
最大功率耗散(Ta=25°C) 360mW
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 漏源电压(Vdss):240V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:4Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:N沟道

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TN2404K-T1-GE3由VISHAY(威世)设计生产,在芯云购商城现货销售,TN2404K-T1-GE3价格参考¥4.097200。VISHAY(威世)TN2404K-T1-GE3封装/规格:SOT-23(TO-236),连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 漏源电压(Vdss):240V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:4Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:N沟道

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