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IPA65R400CEXKSA1

商品型号: IPA65R400CEXKSA1

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: TO-220FP-3

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY475173

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15.1A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:3.5V @ 320uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 3.2435A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W(Tc) 类型:N沟道

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总   价: ¥6.15

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 650V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):15.1A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:3.5V @ 320uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 3.2435A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W(Tc) 类型:N沟道

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IPA65R400CEXKSA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPA65R400CEXKSA1价格参考¥6.152000。Infineon(英飞凌)IPA65R400CEXKSA1封装/规格:TO-220FP-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):15.1A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:3.5V @ 320uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 3.2435A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W(Tc) 类型:N沟道

手机版:IPA65R400CEXKSA1