商品型号： CS25N06C4
制造厂商： 华润华晶
封装规格： TO-252-2
商品毛重： 0.47g
商品编号： CY946137
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：29mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：36.2W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥8.401
10+
￥8.3357
30+
￥8.2704
100+
￥8.2028
500+
￥8.1352
1000+
￥8.0676
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
CS25N06C4由华润华晶设计生产,在芯云购商城现货销售,CS25N06C4价格参考￥8.401000。华润华晶CS25N06C4封装/规格：TO-252-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：29mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：36.2W(Tc) 类型：N沟道
手机版：CS25N06C4
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