商品型号： HY1503C1
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： DFN3*3-8L
商品毛重： 0.10g
商品编号： CY688992
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：34A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：17.8W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
HY1503C1由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY1503C1价格参考￥8.498900。HUAYI(华羿微)HY1503C1封装/规格：DFN3*3-8L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：34A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：17.8W(Tc) 类型：N沟道
手机版：HY1503C1
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