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WNMD2167-6/TR 停产

商品型号: WNMD2167-6/TR

制造厂商: 3PEAK

封装规格: SOT-23-6

商品毛重: 0.05g

商品编号: CY142672

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.7A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 6.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:双N沟道 双N沟道,20V,6.3A

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数   量: X ¥6.5388

总   价: ¥32.69

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
类型 双N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.7A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 6.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:双N沟道 双N沟道,20V,6.3A

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WNMD2167-6/TR由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,WNMD2167-6/TR价格参考¥6.538800。3PEAKWNMD2167-6/TR封装/规格:SOT-23-6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.7A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 6.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:双N沟道 双N沟道,20V,6.3A

手机版:WNMD2167-6/TR