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IRF3708PBF

商品型号： IRF3708PBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-220(TO-220-3)

商品毛重： 2.76g

商品编号： CY615318

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：62A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：87W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,30V,62A,12mΩ@10V

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：62A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：87W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,30V,62A,12mΩ@10V

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IRF3708PBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF3708PBF价格参考￥5.046000。Infineon(英飞凌)IRF3708PBF封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：62A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：87W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,30V,62A,12mΩ@10V

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