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SI3400A-TP

商品型号: SI3400A-TP

制造厂商: MCC(美微科)

封装规格: SOT-23(SOT-23-3)

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY794945

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:N沟道

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总   价: ¥50.31

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
最大功率耗散(Ta=25°C) 400mW
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:N沟道

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SI3400A-TP由MCC(美微科)设计生产,在芯云购商城现货销售,SI3400A-TP价格参考¥5.031200。MCC(美微科)SI3400A-TP封装/规格:SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:N沟道

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