商品型号: SI3400A-TP
制造厂商: MCC(美微科)
封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
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商品编号: CY794945
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:N沟道
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品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
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¥25.00
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¥120.00
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¥25.00
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封装: 20.2x10x15.5
¥15.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
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商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 400mW | |
类型 | N沟道 |
SI3400A-TP由MCC(美微科)设计生产,在芯云购商城现货销售,SI3400A-TP价格参考¥5.031200。MCC(美微科)SI3400A-TP封装/规格:SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:N沟道
手机版:SI3400A-TP
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