商品型号： LNE10R040W3
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-263-2L
商品毛重： 1.66g
商品编号： CY008867
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥6.5227
10+
￥6.4395
30+
￥6.3519
100+
￥6.2643
500+
￥6.1767
1000+
￥6.0891
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
LNE10R040W3由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LNE10R040W3价格参考￥6.522700。LONTEN(龙腾半导体)LNE10R040W3封装/规格：TO-263-2L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147W(Tc) 类型：N沟道
手机版：LNE10R040W3
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