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RU75150R

商品型号: RU75150R

制造厂商: Ruichips(锐骏半导体)

封装规格: TO-220(TO-220-3)

商品毛重: 2.73g

商品编号: CY704294

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):148A 漏源电压(Vdss):75V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W 类型:N沟道 N沟道,75V,148A,5.5mΩ@10V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 75V
最大功率耗散(Ta=25°C) 300W
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):148A 漏源电压(Vdss):75V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W 类型:N沟道 N沟道,75V,148A,5.5mΩ@10V

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RU75150R由Ruichips(锐骏半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,RU75150R价格参考¥5.112300。Ruichips(锐骏半导体)RU75150R封装/规格:TO-220(TO-220-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):148A 漏源电压(Vdss):75V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W 类型:N沟道 N沟道,75V,148A,5.5mΩ@10V

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