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FDMC86570L

商品型号: FDMC86570L

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: Pwoer 33

商品毛重: 0.06g

商品编号: CY403287

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:4.3mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.3W 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:4.3mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.3W 类型:N沟道

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FDMC86570L由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDMC86570L价格参考¥9.592400。ON(安森美)FDMC86570L封装/规格:Pwoer 33,连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:4.3mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.3W 类型:N沟道

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