商品型号： FHD80N08B
制造厂商： FeiHong(飞虹)
封装规格： TO-252
商品毛重： 0.48g
商品编号： CY504869
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | |
| 类型 | N沟道 |
FHD80N08B由FeiHong(飞虹)设计生产,在芯云购商城现货销售,FHD80N08B价格参考￥1.106200。FeiHong(飞虹)FHD80N08B封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道
手机版：FHD80N08B
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