商品型号： CED3120
制造厂商： CET(华瑞)
封装规格： TO-251(I-PAK)
商品毛重： 0.63g
商品编号： CY335333
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：36A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：33W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,30V,36A
数量
价格
1+
￥4.0644
10+
￥4.054
30+
￥4.0436
100+
￥4.0327
500+
￥4.0218
1000+
￥4.0109
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￥38.00
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￥15.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
CED3120由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CED3120价格参考￥4.064400。CET(华瑞)CED3120封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：36A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：33W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,30V,36A
手机版：CED3120
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