商品型号： TSF8N65M
制造厂商： Truesemi(信安)
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.70g
商品编号： CY446290
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 3.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，650V，7.5A，1.5Ω
数量
价格
1+
￥5.2128
10+
￥5.1775
30+
￥5.1422
100+
￥5.1069
500+
￥5.0716
1000+
￥5.0363
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
TSF8N65M由Truesemi(信安)设计生产,在芯云购商城现货销售,TSF8N65M价格参考￥5.212800。Truesemi(信安)TSF8N65M封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 3.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，650V，7.5A，1.5Ω
手机版：TSF8N65M
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监