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BSC097N06NST

商品型号： BSC097N06NST

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TDSON-8

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY365103

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：48A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.3V @ 14?A 漏源导通电阻：14.6mOhm @ 10A, 6V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
最大功率耗散（Ta=25°C）	3W
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：48A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.3V @ 14?A 漏源导通电阻：14.6mOhm @ 10A, 6V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道

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BSC097N06NST由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSC097N06NST价格参考￥4.203100。Infineon(英飞凌)BSC097N06NST封装/规格：PG-TDSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：48A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.3V @ 14?A 漏源导通电阻：14.6mOhm @ 10A, 6V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道

手机版：BSC097N06NST