商品型号： BSC019N04LS
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-TDSON-8
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY063415
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 250?A 漏源导通电阻：2.7mOhm @ 50A, 4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | N沟道 |
BSC019N04LS由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSC019N04LS价格参考￥4.275800。Infineon(英飞凌)BSC019N04LS封装/规格：PG-TDSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 250?A 漏源导通电阻：2.7mOhm @ 50A, 4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道
手机版：BSC019N04LS
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