商品型号： IXFH12N120P
制造厂商： IXYS
封装规格： TO-247-3
商品毛重： 6.09g
商品编号： CY841391
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1200V 栅源极阈值电压：6.5V @ 1mA 漏源导通电阻：1.35Ω @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：543W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.2094
10+
￥9.1585
30+
￥9.1076
100+
￥9.0538
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V | |
| 类型 | N沟道 |
IXFH12N120P由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXFH12N120P价格参考￥9.209400。IXYSIXFH12N120P封装/规格：TO-247-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1200V 栅源极阈值电压：6.5V @ 1mA 漏源导通电阻：1.35Ω @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：543W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IXFH12N120P
20万现货SKU
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