商品型号： G60N04
制造厂商： GOFORD(谷峰)
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.46g
商品编号： CY432852
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：45V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：65W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,45V,60A,9.7mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 45V | |
| 类型 | N沟道 |
G60N04由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,G60N04价格参考￥7.198800。GOFORD(谷峰)G60N04封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：45V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：65W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,45V,60A,9.7mΩ@10V
手机版：G60N04
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