商品型号： RU1H130S
制造厂商： Ruichips(锐骏半导体)
封装规格： TO-263-2
商品毛重： 1.90g
商品编号： CY396429
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 65A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,100V,130A,9mΩ@10V
数量
价格
1+
￥5.0394
10+
￥5.0337
30+
￥5.028
100+
￥5.0223
500+
￥5.0166
1000+
￥5.0083
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￥15.00
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￥25.00
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封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
RU1H130S由Ruichips(锐骏半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,RU1H130S价格参考￥5.039400。Ruichips(锐骏半导体)RU1H130S封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 65A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,100V,130A,9mΩ@10V
手机版：RU1H130S
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