商品型号： IRLL014NPBF
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： SOT-223
商品毛重： 0.19g
商品编号： CY906399
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥2.0794
10+
￥2.0681
30+
￥2.0568
100+
￥2.0426
500+
￥2.0284
1000+
￥2.0142
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W | |
| 类型 | N沟道 |
IRLL014NPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRLL014NPBF价格参考￥2.079400。Infineon(英飞凌)IRLL014NPBF封装/规格：SOT-223,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道
手机版：IRLL014NPBF
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监