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IRF9Z14SPBF

商品型号： IRF9Z14SPBF

制造厂商： VISHAY(威世)

封装规格： TO-263-2

商品毛重： 2.00g

商品编号： CY278954

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,-60V,-6.7A,0.5Ω@-10V

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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,-60V,-6.7A,0.5Ω@-10V

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IRF9Z14SPBF由VISHAY(威世)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF9Z14SPBF价格参考￥8.120000。VISHAY(威世)IRF9Z14SPBF封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,-60V,-6.7A,0.5Ω@-10V

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