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IXTY1R6N50D2

商品型号： IXTY1R6N50D2

制造厂商： IXYS

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 3.10g

商品编号： CY032173

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：2.3Ω @ 800mA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,500V,1.6A,2.3Ω@0V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	500V
栅源极阈值电压	-
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：2.3Ω @ 800mA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,500V,1.6A,2.3Ω@0V

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IXTY1R6N50D2由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXTY1R6N50D2价格参考￥3.224400。IXYSIXTY1R6N50D2封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：2.3Ω @ 800mA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,500V,1.6A,2.3Ω@0V

手机版：IXTY1R6N50D2