商品型号： FHD4N60A
制造厂商： FeiHong(飞虹)
封装规格： TO-252
商品毛重： 0.30g
商品编号： CY595642
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.1Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥1.2932
10+
￥1.2474
30+
￥1.199
100+
￥1.1506
500+
￥1.1022
1000+
￥1.0511
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A | |
| 类型 | N沟道 |
FHD4N60A由FeiHong(飞虹)设计生产,在芯云购商城现货销售,FHD4N60A价格参考￥1.293200。FeiHong(飞虹)FHD4N60A封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.1Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道
手机版：FHD4N60A
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