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CEP80N15

商品型号： CEP80N15

制造厂商： CET(华瑞)

封装规格： TO-220(TO-220-3)

商品毛重： 1.31g

商品编号： CY858536

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：76A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：19mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,150V,76A,19mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	150V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：76A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：19mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,150V,76A,19mΩ@10V

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CEP80N15由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CEP80N15价格参考￥1.449600。CET(华瑞)CEP80N15封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：76A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：19mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,150V,76A,19mΩ@10V

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