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NVMFS6B14NLT1G

商品型号： NVMFS6B14NLT1G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： DFN-5

商品毛重： 0.25g

商品编号： CY112894

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.8W 类型：N沟道 N沟道,100V,55A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	11A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.8W 类型：N沟道 N沟道,100V,55A

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NVMFS6B14NLT1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NVMFS6B14NLT1G价格参考￥6.491400。ON(安森美)NVMFS6B14NLT1G封装/规格：DFN-5,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.8W 类型：N沟道 N沟道,100V,55A

手机版：NVMFS6B14NLT1G