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NVMFS6B14NLT1G

商品型号: NVMFS6B14NLT1G

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: DFN-5

商品毛重: 0.25g

商品编号: CY112894

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道 N沟道,100V,55A

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥6.49

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 11A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道 N沟道,100V,55A

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NVMFS6B14NLT1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NVMFS6B14NLT1G价格参考¥6.491400。ON(安森美)NVMFS6B14NLT1G封装/规格:DFN-5,连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道 N沟道,100V,55A

手机版:NVMFS6B14NLT1G