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ZXMS6006DT8TA

商品型号： ZXMS6006DT8TA

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SM-8

商品毛重： 0.40g

商品编号： CY768782

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：100mΩ @ 1A,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.13W 类型：双N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
栅源极阈值电压	-
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：100mΩ @ 1A,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.13W 类型：双N沟道

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ZXMS6006DT8TA由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,ZXMS6006DT8TA价格参考￥2.188800。DIODES(美台)ZXMS6006DT8TA封装/规格：SM-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：100mΩ @ 1A,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.13W 类型：双N沟道

手机版：ZXMS6006DT8TA