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LNG05R075

商品型号: LNG05R075

制造厂商: LONTEN(龙腾半导体)

封装规格: TO-252

商品毛重: 0.37g

商品编号: CY171188

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:1.8V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W(Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 50V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:1.8V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W(Tc) 类型:N沟道

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LNG05R075由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LNG05R075价格参考¥9.189000。LONTEN(龙腾半导体)LNG05R075封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:1.8V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W(Tc) 类型:N沟道

手机版:LNG05R075