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DMPH6050SK3Q-13

商品型号： DMPH6050SK3Q-13

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： TO-252

商品毛重： 0.37g

商品编号： CY601147

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.2A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.9W 类型：P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.2A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.9W 类型：P沟道

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DMPH6050SK3Q-13由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMPH6050SK3Q-13价格参考￥8.367000。DIODES(美台)DMPH6050SK3Q-13封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.2A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.9W 类型：P沟道

手机版：DMPH6050SK3Q-13