商品型号： FQD5N60CTM
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-252-3
商品毛重： 0.37g
商品编号： CY342642
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | N沟道 |
FQD5N60CTM由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FQD5N60CTM价格参考￥2.009000。ON(安森美)FQD5N60CTM封装/规格：TO-252-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道
手机版：FQD5N60CTM
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