商品型号： LNE08R085
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-263
商品毛重： 1.57g
商品编号： CY682158
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥4.1255
10+
￥4.1091
30+
￥4.0914
100+
￥4.069
500+
￥4.0466
1000+
￥4.0233
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￥38.00
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | |
| 类型 | N沟道 |
LNE08R085由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LNE08R085价格参考￥4.125500。LONTEN(龙腾半导体)LNE08R085封装/规格：TO-263,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147W(Tc) 类型：N沟道
手机版：LNE08R085
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