商品型号: FHS100N09A
制造厂商: FeiHong(飞虹)
封装规格: TO-263
商品毛重: 2.35g
商品编号: CY141579
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):90V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W(Tc) 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥2.2199
10+
¥2.1846
30+
¥2.1493
100+
¥2.114
500+
¥2.076
1000+
¥2.038
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
品牌: FANHAR(浙江凡华)
封装: 20.2x10x15.5
¥15.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 90V | |
类型 | N沟道 |
FHS100N09A由FeiHong(飞虹)设计生产,在芯云购商城现货销售,FHS100N09A价格参考¥2.219900。FeiHong(飞虹)FHS100N09A封装/规格:TO-263,连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):90V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W(Tc) 类型:N沟道
手机版:FHS100N09A
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