IPD60R600P7SAUMA1

商品型号： IPD60R600P7SAUMA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-252-3

商品毛重： 0.53g

商品编号： CY024624

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A (Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 80uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 1.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W (Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A (Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 80uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 1.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W (Tc) 类型：N沟道

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IPD60R600P7SAUMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD60R600P7SAUMA1价格参考￥5.392400。Infineon(英飞凌)IPD60R600P7SAUMA1封装/规格：TO-252-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A (Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 80uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 1.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W (Tc) 类型：N沟道

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