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PSMN4R1-60YLX

商品型号： PSMN4R1-60YLX

制造厂商： Nexperia(安世)

封装规格： SOT-669

商品毛重： 0.12g

商品编号： CY268268

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.1V @ 1mA 漏源导通电阻：4.1mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：238W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	100A
栅源极阈值电压	2.1V @ 1mA
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.1V @ 1mA 漏源导通电阻：4.1mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：238W 类型：N沟道

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PSMN4R1-60YLX由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PSMN4R1-60YLX价格参考￥9.212600。Nexperia(安世)PSMN4R1-60YLX封装/规格：SOT-669,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.1V @ 1mA 漏源导通电阻：4.1mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：238W 类型：N沟道

手机版：PSMN4R1-60YLX