商品型号： FQA8N100C
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-3PN-3
商品毛重： 5.23g
商品编号： CY545669
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1000V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.45Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥1.2624
10+
￥1.1981
30+
￥1.1338
100+
￥1.0669
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 1000V | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
FQA8N100C由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FQA8N100C价格参考￥1.262400。ON(安森美)FQA8N100C封装/规格：TO-3PN-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1000V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.45Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225W(Tc) 类型：N沟道
手机版：FQA8N100C
20万现货SKU
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