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NTLUD3A50PZTAG

商品型号： NTLUD3A50PZTAG

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： UDFN-6

商品毛重： 0.02g

商品编号： CY543362

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：双P沟道 P沟道,-20V,-5.6A,50mΩ@-4.5V

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：双P沟道 P沟道,-20V,-5.6A,50mΩ@-4.5V

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NTLUD3A50PZTAG由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTLUD3A50PZTAG价格参考￥2.569300。ON(安森美)NTLUD3A50PZTAG封装/规格：UDFN-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：双P沟道 P沟道,-20V,-5.6A,50mΩ@-4.5V

手机版：NTLUD3A50PZTAG