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RUH60100M

商品型号: RUH60100M

制造厂商: Ruichips(锐骏半导体)

封装规格: PDFN5060

商品毛重: 0.16g

商品编号: CY730566

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 35A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):126W(Tc) 类型:N沟道 60V 100A 2.6毫欧 N沟道MOS

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 35A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):126W(Tc) 类型:N沟道 60V 100A 2.6毫欧 N沟道MOS

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RUH60100M由Ruichips(锐骏半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,RUH60100M价格参考¥8.045100。Ruichips(锐骏半导体)RUH60100M封装/规格:PDFN5060,连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 35A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):126W(Tc) 类型:N沟道 60V 100A 2.6毫欧 N沟道MOS

手机版:RUH60100M