商品型号： IRFIZ34GPBF
制造厂商： VISHAY(威世)
封装规格： TO-220(TO-220-3)
商品毛重： 2.64g
商品编号： CY651431
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥8.0736
10+
￥8.0552
30+
￥8.0368
100+
￥8.0184
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
IRFIZ34GPBF由VISHAY(威世)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFIZ34GPBF价格参考￥8.073600。VISHAY(威世)IRFIZ34GPBF封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IRFIZ34GPBF
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