BSP317PH6327XTSA1

商品型号： BSP317PH6327XTSA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： SOT-223

商品毛重： 0.19g

商品编号： CY643116

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：430mA 漏源电压（Vdss）：-250V 栅源极阈值电压：2V @ 370uA 漏源导通电阻：4Ω @ 430mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：P沟道 P沟道,250V,430mA,4Ω@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：430mA 漏源电压（Vdss）：-250V 栅源极阈值电压：2V @ 370uA 漏源导通电阻：4Ω @ 430mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：P沟道 P沟道,250V,430mA,4Ω@10V

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BSP317PH6327XTSA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSP317PH6327XTSA1价格参考￥1.268500。Infineon(英飞凌)BSP317PH6327XTSA1封装/规格：SOT-223,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：430mA 漏源电压（Vdss）：-250V 栅源极阈值电压：2V @ 370uA 漏源导通电阻：4Ω @ 430mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：P沟道 P沟道,250V,430mA,4Ω@10V

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