商品型号： VBFB2102M
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO251
商品毛重： 0.64g
商品编号： CY816616
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：215mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32.1W 类型：P沟道
数量
价格
1+
￥5.3964
10+
￥5.3325
30+
￥5.266
100+
￥5.1995
500+
￥5.133
1000+
￥5.0665
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A | |
| 类型 | P沟道 |
VBFB2102M由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBFB2102M价格参考￥5.396400。VBsemi(台湾微碧)VBFB2102M封装/规格：TO251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：215mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32.1W 类型：P沟道
手机版：VBFB2102M
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监